Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75829D3

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF75829D3

HUF75829D3 Hakkında

HUF75829D3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelen bu transistör, 110mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 70nC olup, anahtarlama hızı ve verimlilik açısından iyi performans sağlar. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, maksimum 110W güç dağıtımı yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok