Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75829D3
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75829D3
HUF75829D3 Hakkında
HUF75829D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajı ve 18A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 110mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Maksimum 110W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok