Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75645S3ST_Q
N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75645S3
HUF75645S3ST_Q Hakkında
HUF75645S3ST_Q, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip UltraFET teknolojisini kullanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (14mOhm @ 75A, 10V) sayesinde güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Sürücü devreleri, AC/DC konvertörler, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 310W maksimum güç yayılımı ve 238nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 238 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok