Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75645P3

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75645

HUF75645P3 Hakkında

HUF75645P3, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V 75A kapasiteli N-Channel Power MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 14mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 310W güç dağıtma kapasitesine sahip transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 238nC gate charge ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok