Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75639S3STNL
56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75639
HUF75639S3STNL Hakkında
HUF75639S3STNL, Rochester Electronics tarafından üretilen 56A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilimi ve 25mΩ maksimum on-resistance değerleriyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 200W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç kaynakları ve yük anahtarlaması devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V Vgs maksimum gerilimi ve düşük kapı yükü (130nC) hızlı anahtarlama ve verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok