Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75639

HUF75639S3ST Hakkında

HUF75639S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim değerine ve 56A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan transistör, 25mΩ on-state direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 200W güç tüketiminde çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 130nC olup, 10V drive voltajında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok