Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75639S3S

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75639S3S

HUF75639S3S Hakkında

HUF75639S3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uyarlanabilir. 25mΩ maksimum gate-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 200W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok