Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75639S3S
HUF75639S3S Hakkında
HUF75639S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 56A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 25mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısıl kayıp sağlar. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 10V kapı gerilimi ile kontrolü ve 130nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama sağlar. Kompakt paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok