Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75639S3
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75639
HUF75639S3 Hakkında
HUF75639S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 56A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 25mΩ on-state direnç değeri ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I2PAK) paketinde sunulan HUF75639S3, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, maksimum 200W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±20V gate voltajı toleransı ve düşük kapasitans değerleri sayesinde hızlı anahtarlama operasyonlarına uyundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok