Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75639P3-F102
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75639P3
HUF75639P3-F102 Hakkında
HUF75639P3-F102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 56A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 25mOhm (10V, 56A) on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile mekanik montaj ve ısı yönetimi kolaylaştırılmıştır. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 200W maksimum güç dağılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok