Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75637S3S
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75637
HUF75637S3S Hakkında
HUF75637S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ile 44A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, D2PAK (TO-263) paketinde sunulur. 30mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları ve 155W güç dağıtım kapasitesi sayesinde güç elektronik uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama kaynakları ve konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 108nC gate charge ve 1700pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı kompakt PCB tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok