Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75637P3
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75637
HUF75637P3 Hakkında
HUF75637P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 44A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket formatında Through Hole montajı destekler. 30mΩ (10V, 44A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 155W maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır. SMPS, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Ürün deprecated konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok