Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75631SK8T

MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUF75631

HUF75631SK8T Hakkında

HUF75631SK8T, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 5.5A sürekli drain akımı sağlamakta olup 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Rds On değeri 10V gate-source voltajında 39mOhm'dur. 79nC gate charge ve -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile karakterize edilmiştir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanım için uygundur. En yüksek 2.5W güç tüketimi ile konfigüre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1225 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok