Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75631SK8T
MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75631
HUF75631SK8T Hakkında
HUF75631SK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 39mOhm (10V, 5.5A'de) on-direnç değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 79nC gate charge ve 1225pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V gate-source gerilim toleransı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır. Güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri başta olmak üzere çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilir. Ürün kullanımı dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok