Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75631SK8
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75631
HUF75631SK8 Hakkında
HUF75631SK8, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok