Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75631S3S
N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75631
HUF75631S3S Hakkında
HUF75631S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 40mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok