Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75631P3

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75631

HUF75631P3 Hakkında

HUF75631P3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 40mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve benzer yüksek akımlı devrelerde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan komponen, 120W maksimum güç saçma yeteneği sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve geniş -55°C ~ 175°C sıcaklık işletme aralığına sahiptir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok