Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75631P3
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75631
HUF75631P3 Hakkında
HUF75631P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 33A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 40mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 120W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok