Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75623

HUF75623P3 Hakkında

HUF75623P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 22A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, TO-220-3 paket formatında sunulmaktadır. 64mΩ (10V, 22A) düşük on-resistance değeri sayesinde anahtarlama devrelerinde minimum güç kaybı sağlar. 85W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile motor sürücüler, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklarında güvenilir işletme imkanı verir. 52nC gate charge ve 790pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok