Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75617D3S

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF75617

HUF75617D3S Hakkında

HUF75617D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücü devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile entegre devrelerden doğrudan kulllanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok