Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75617D3
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75617D3
HUF75617D3 Hakkında
HUF75617D3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 90mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On) sunarak verimli anahtarlama işlemi sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde gelen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 64W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok