Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75617D3
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75617D3
HUF75617D3 Hakkında
HUF75617D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulmaktadır. 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate charge değeri 39nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 64W maksimum güç tüketimi, endüstriyel kontrol devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gümrük paket kodu IPAK olarak belirtilmiştir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok