Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75545S3ST_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75545S3
HUF75545S3ST_NL Hakkında
HUF75545S3ST_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75A sürekli drenaj akımı ve 80V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 270W maksimum güç yayımında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 235nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok