Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75542S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75542S3S

HUF75542S3S Hakkında

HUF75542S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli drenaj akımı, 80V drain-source gerilimi ve 14mΩ on-direnci (Rds On) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 230W'a kadar güç harcanabilir. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V sürücü gerilimi ile uyumlu, 180nC kapı yükü ve 2750pF giriş kapasitansı özellikleri sayesinde kontrollü ve verimli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok