Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75531SK8T

MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUF75531

HUF75531SK8T Hakkında

HUF75531SK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürü geriliminde 30mOhm düşük on-direnci (Rds On) sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel amaçlı DC anahtarlamada uygulanır. Gate yükü 82nC ve input kapasitesi 1210pF'dir. Parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok