Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75343S3_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75343S3

HUF75343S3_NL Hakkında

HUF75343S3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75A sürekli drenaj akımı ve 55V dren-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde sunulur. 9mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 205nC @ 20V'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 270W güç harcayabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok