Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
HUF75343

HUF75343S3 Hakkında

HUF75343S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlayarak enerji kaybını minimize eder. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 270W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Başlık düzeyde temirme (through hole) montajına uygun olarak PCB entegrasyonu kolaylaştırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok