Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75339S3
MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75339
HUF75339S3 Hakkında
HUF75339S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262AA paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 124W maksimum güç yayılım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok