Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75339G3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75339G3
HUF75339G3_NL Hakkında
HUF75339G3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli drenaj akımı, 55V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve yüksek akımlı DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 200W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 130nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok