Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75339G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75339
HUF75339G3 Hakkında
HUF75339G3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 12mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj özelliğine sahiptir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok