Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75333S3ST

MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75333S3ST

HUF75333S3ST Hakkında

HUF75333S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Vdss ile 66A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan transistör, 10V gate drive voltajında 16mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve maksimum 150W güç saçabilen HUF75333S3ST, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 85nC gate charge ve 1300pF input capacitance değerleriyle hızlı switching karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 66A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok