Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75333S3
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75333
HUF75333S3 Hakkında
HUF75333S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 66A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 16mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 150W maksimum güç tüketimine sahip olan HUF75333S3, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. 1300pF giriş kapasitansı ve 85nC gate charge karakteristiği, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 66A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok