Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75333P3

MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75333

HUF75333P3 Hakkında

HUF75333P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 66A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket yapısında sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 16mΩ düşük on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. Açma/kapama hızlı kontrolü ve verimli enerji aktarımı gerektiren anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 150W güç tüketim kapasitesi sunar. Cihazın Parts Status bilgisine göre üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 66A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok