Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75332S3ST

MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF75332S3ST

HUF75332S3ST Hakkında

HUF75332S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 52A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 19mΩ (maksimum) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V gate sürücü geriliminde çalışır ve 85nC gate charge'a sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Switch-mode güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 110W güç dağılımı kapasitesi vardır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 52A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok