Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75332S3S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75332S3S
HUF75332S3S Hakkında
HUF75332S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 52A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 110W güç tüketebilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 52A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok