Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75332P3_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75332P3

HUF75332P3_NL Hakkında

HUF75332P3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source voltaj aralığında 60A sürekli akım taşıyabilen bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok