Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75329S3
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75329
HUF75329S3 Hakkında
HUF75329S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 49A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 24mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kayıpla anahtarlama yapar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motorlar kontrol devreleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 128W maksimum güç disipasyonu ile soğutma gereksinimlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 49A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok