Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75329P3

MOSFET N-CH 55V 42A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75329

HUF75329P3 Hakkında

HUF75329P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, inverter ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 94W maksimum güç tüketimine ve 75nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok