Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75329D3

MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF75329D3

HUF75329D3 Hakkında

HUF75329D3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 65nC gate charge özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yer alır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile kullanılır ve maksimum 128W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok