Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75321S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75321S3
HUF75321S3ST Hakkında
HUF75321S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 93W maksimum güç tüketebilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok