Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75321D3ST

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF75321D3

HUF75321D3ST Hakkında

HUF75321D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj (Vdss) ve 20A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 36mΩ (10V, 20A) maksimum RdsOn direnci ile verimli enerji dağılımı sağlar. 93W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle, düşük sinyal kaybı gerektiren şarj kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulur, yüksek yoğunluklu PCB tasarımları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok