Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75321D3

MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
HUF75321D3

HUF75321D3 Hakkında

HUF75321D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 20A sürekli akım kapasitesi ile DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 36mOhm'luk düşük kanal direnci (RDS(on)) sayesinde enerji verimli çalışma sağlar. Gate charge değeri 44nC olup, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Lojik seviye sürücülerle uyumlu 4V eşik voltajı ve ±20V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama yelpazesinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok