Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75309P3

MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUF75309

HUF75309P3 Hakkında

HUF75309P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj desteği ile 19A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü voltajında 70mΩ on-resistance değerine ulaşır. Anahtarlama uygulamalarında, motor kontrollerinde, güç kaynakları tasarımında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 55W güç dağıtım kapasitesi sunar. 24nC gate charge ve 350pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montajı için uygundur. Komponent obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok