Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF75309

HUF75309D3S Hakkında

HUF75309D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı ile çalışabilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş işletme sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) kararlı performans gösterir. DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok