Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75309
HUF75309D3S Hakkında
HUF75309D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı ile çalışır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulur. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolörlerinde ve DC-DC dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 55W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Maksimum gate gerilimi ±20V, gate yükü 24nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok