Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75309D3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75309
HUF75309D3 Hakkında
HUF75309D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 70mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 45W maksimum güç yayılım kapasitesi ile endüstriyel ve consumer uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok