Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75307T3ST

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
HUF75307

HUF75307T3ST Hakkında

HUF75307T3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount SOT-223-4 paketinde sunulan bu bileşen, motorlar, LED kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge (17nC) özellikleri hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok