Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF75307D3ST

MOSFET N-CH 55V 15A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF75307D3

HUF75307D3ST Hakkında

HUF75307D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 90mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilen bu MOSFET, 45W güç dağılımına kadar destekler. 20nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok