Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75307
HUF75307D3 Hakkında
HUF75307D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 90mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devrelerine, anahtarlama uygulamalarına ve motor kontrol sistemlerine entegre edilir. 20nC gate charge ve 250pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok