Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF75229P3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF75229P3
HUF75229P3_NL Hakkında
HUF75229P3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 50V Drain-Source geriliminde 44A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 22mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı ve verimli anahtarlama özellikleri sunar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu bileşen, 90W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Geniş -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok